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SUP60N10-16L
Vishay Siliconix
N-Channel 100-V (D-S) 175 _ C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V (BR)DSS (V) r DS(on) ( W )
0.016 @ V GS = 10 V
100
0.018 @ V GS = 4.5 V
TO-220AB
I D (A)
60
56
FEATURES
D TrenchFET r Power MOSFET
D 175 _ C Junction Temperature
D PWM Optimized
APPLICATIONS
D DC/DC Primary Side Switch
D
G
DRAIN connected to TAB
G D S
Top View
SUP60N10-16L
S
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T C = 25 _ C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Parameter
Symbol
V DS
V GS
Limit
100
" 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 175 _ C)
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy a
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T C = 25 _ C
T C = 125 _ C
L = 0.1 mH
T C = 25 _ C
I D
I DM
I AR
E AR
P D
T J , T stg
60
35
100
40
80
150 b
- 55 to 175
A
mJ
W
_ C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Junction-to-Ambient (Free Air)
Junction-to-Case
Parameter
Symbol
R thJA
R thJC
Limit
62.5
1.0
Unit
_ C/W
Notes
a. Duty cycle v 1%.
b. See SOA curve for voltage derating.
c. When mounted on 1” square PCB (FR-4 material).
Document Number: 71928
S-03600—Rev. B, 31-Mar-03
www.vishay.com
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